FDN5630-G
Numéro de produit du fabricant:

FDN5630-G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDN5630-G-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

12972180
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SOUMETTRE

FDN5630-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FDN5630-GTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
OBSOLETE

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDN5630
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
5620
NUMÉRO DE PIÈCE
FDN5630-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
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