FDP120AN15A0
Numéro de produit du fabricant:

FDP120AN15A0

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDP120AN15A0-DG

Description:

MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Description détaillée:
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12837876
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SOUMETTRE

FDP120AN15A0 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
770 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP120

Informations supplémentaires

Forfait standard
400

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N25-DG
PRIX UNITAIRE
1.05
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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