Numéro de produit du fabricant:
FDP150N10A
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP150N10A-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12848319
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SOUMETTRE
FDP150N10A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1440 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
91W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP150
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB4510PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1965
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB4510PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.55
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP150N10A-F102
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
223
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP150N10A-F102-DG
PRIX UNITAIRE
1.03
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN7R0-100PS,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4441
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN7R0-100PS,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.38
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