Numéro de produit du fabricant:
FDP18N50
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP18N50-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12847686
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SOUMETTRE
FDP18N50 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
265mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2860 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
235W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP18
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-FDP18N50-OS
ONSONSFDP18N50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP460P2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
270
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP460P2-DG
PRIX UNITAIRE
3.30
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IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
4.46
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