FDP2614
Numéro de produit du fabricant:

FDP2614

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDP2614-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

9582 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839492
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDP2614 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
62A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7230 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
260W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP26

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
FDP2614-DG
2156-FDP2614-OS
FDP2614FS
ONSONSFDP2614

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NVF3055-100T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

HUFA75339P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

infineon-technologies

AUIRLU024Z

MOSFET N-CH 55V 16A IPAK

onsemi

FQD9N25TF

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK