Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
DR Congo
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
DR Congo
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
FDP51N25
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP51N25-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12848405
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDP51N25 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3410 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
320W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP51
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
FDP51N25-DG
Fiches techniques
FDP51N25
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-FDP51N25-OS
ONSONSFDP51N25
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP50N25T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
533
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP50N25T-DG
PRIX UNITAIRE
2.35
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP40N25-60-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
475
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP40N25-60-E3-DG
PRIX UNITAIRE
2.17
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP600N25N3GXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
647
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP600N25N3GXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.36
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP30N25X3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
100
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP30N25X3-DG
PRIX UNITAIRE
3.18
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP26N30X3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
521
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP26N30X3-DG
PRIX UNITAIRE
2.08
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
FDPF3860T
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK