FDP7N50
Numéro de produit du fabricant:

FDP7N50

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDP7N50-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12836772
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SOUMETTRE

FDP7N50 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
940 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP7

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
2832-FDP7N50
2832-FDP7N50-488

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STP9NK50Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
477
NUMÉRO DE PIÈCE
STP9NK50Z-DG
PRIX UNITAIRE
1.05
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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QUANTITÉ DISPONIBLE
996
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PRIX UNITAIRE
0.88
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
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