Numéro de produit du fabricant:
FDR858P
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDR858P-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventaire:
12847149
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SOUMETTRE
FDR858P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2010 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-8
Emballage / Caisse
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Numéro de produit de base
FDR85
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDR858P-DG
FDR858PCT
FDR858PDKR
FDR858PTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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