Numéro de produit du fabricant:
FDS2170N3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS2170N3-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventaire:
12850569
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SOUMETTRE
FDS2170N3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1292 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO FLMP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDS21
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMS2672
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1825
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMS2672-DG
PRIX UNITAIRE
1.14
TYPE DE SUBSTITUT
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