Numéro de produit du fabricant:
FDS2670
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS2670-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
2359 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12837484
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDS2670 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1228 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS26
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS2670TR
FDS2670CT
ONSONSFDS2670
2156-FDS2670-OS
FDS2670DKR
FDS2670-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQD4P40TM-AM002
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
HUF76645S3S
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
FQP7N80
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
