Numéro de produit du fabricant:
FDS3570
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS3570-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 80 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12846534
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDS3570 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2750 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS35
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS3572
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
6770
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS3572-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
AO4478
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
FCPF250N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
