Numéro de produit du fabricant:
FDS5692Z
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS5692Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 50 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12931714
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SOUMETTRE
FDS5692Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
24mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1025 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS56
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS5692ZCT
FDS5692ZTR
FDS5692ZDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFW520ATM
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF731
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW644BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
