Numéro de produit du fabricant:
FDS6675BZ
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS6675BZ-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
14563 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12851286
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SOUMETTRE
FDS6675BZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2470 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS6675
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FAIFSCFDS6675BZ
FDS6675BZCT
FDS6675BZDKR
FDS6675BZTR
2156-FDS6675BZ-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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