Numéro de produit du fabricant:
FDT3612
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDT3612-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventaire:
20218 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12837941
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
yKsi
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDT3612 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
632 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
FDT36
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
FDT3612TR
FDT3612CT
FDT3612DKR
2156-FDT3612-OS
FDT3612-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
AUIRF4905S
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
