FDT434P
Numéro de produit du fabricant:

FDT434P

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDT434P-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Description détaillée:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventaire:

12849009
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SOUMETTRE

FDT434P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1187 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
FDT43

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
FDT434P-DG
ONSONSFDT434P
FDT434PCT
FDT434PDKR
FDT434PTR
2156-FDT434P-ONTR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NVF6P02T3G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
4039
NUMÉRO DE PIÈCE
NVF6P02T3G-DG
PRIX UNITAIRE
0.43
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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