FDT458P
Numéro de produit du fabricant:

FDT458P

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDT458P-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Description détaillée:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventaire:

5713 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839270
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SOUMETTRE

FDT458P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
205 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
FDT458

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
FDT458P-DG
FDT458PCT
FDT458PDKR
FDT458PTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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