FDU6N25
Numéro de produit du fabricant:

FDU6N25

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDU6N25-DG

Description:

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventaire:

12850989
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SOUMETTRE

FDU6N25 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
FDU6

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
70
Autres noms
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFU224PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFU224PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.53
TYPE DE SUBSTITUT
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