FQA20N40
Numéro de produit du fabricant:

FQA20N40

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQA20N40-DG

Description:

MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 400 V 19.5A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventaire:

12838762
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SOUMETTRE

FQA20N40 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
400 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
220mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FQA2

Informations supplémentaires

Forfait standard
450

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ22N50P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
302
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ22N50P-DG
PRIX UNITAIRE
2.74
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E
FABRICANT
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
5608
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E-DG
PRIX UNITAIRE
3.29
TYPE DE SUBSTITUT
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