Numéro de produit du fabricant:
FQB55N10TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQB55N10TM-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12836715
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SOUMETTRE
FQB55N10TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2730 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB55N10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2156-FQB55N10TM-OS
FQB55N10TMCT
FQB55N10TMTR
FQB55N10TMDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB80NF10T4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
775
NUMÉRO DE PIÈCE
STB80NF10T4-DG
PRIX UNITAIRE
1.46
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