Numéro de produit du fabricant:
FQB9P25TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQB9P25TM-DG
Description:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Description détaillée:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12838031
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SOUMETTRE
FQB9P25TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1180 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB9
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9640STRLPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
5539
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9640STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.92
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF
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Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7933
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.26
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