Numéro de produit du fabricant:
FQE10N20LCTU
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQE10N20LCTU-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3
Inventaire:
12849223
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SOUMETTRE
FQE10N20LCTU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
490 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
12.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-126-3
Emballage / Caisse
TO-225AA, TO-126-3
Numéro de produit de base
FQE1
Informations supplémentaires
Forfait standard
60
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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