Numéro de produit du fabricant:
FQH8N100C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQH8N100C-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12840493
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SOUMETTRE
FQH8N100C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3220 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FQH8N100
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW7N95K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STW7N95K3-DG
PRIX UNITAIRE
2.86
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