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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
FQI11N40TU
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQI11N40TU-DG
Description:
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12848201
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SOUMETTRE
FQI11N40TU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
400 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
480mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FQI1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
FQI11N40TU-DG
Fiches techniques
FQI11N40TU
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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