Numéro de produit du fabricant:

FQI11N40TU

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQI11N40TU-DG

Description:

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK

Description détaillée:

N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventaire:

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12848201

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SOUMETTRE

FQI11N40TU Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

onsemi

Emballage

-

Série

-

État du produit

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

400 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

11.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

rds activé (max) @ id, vgs

480mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

1400 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur

I2PAK

Emballage / Caisse

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numéro de produit de base

FQI1

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

50

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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