FQNL2N50BTA
Numéro de produit du fabricant:

FQNL2N50BTA

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQNL2N50BTA-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventaire:

12847857
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SOUMETTRE

FQNL2N50BTA Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
350mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.3Ohm @ 175mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
230 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Numéro de produit de base
FQNL2

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
FAIFSCFQNL2N50BTA
2156-FQNL2N50BTA-OS
FQNL2N50BTATB
FQNL2N50BTACT
FQNL2N50BTA-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STQ1NC45R-AP
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ1NC45R-AP-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
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