Numéro de produit du fabricant:
FQP2N60C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQP2N60C-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12850836
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SOUMETTRE
FQP2N60C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
235 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
54W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FQP2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
FAIFSCFQP2N60C
FQP2N60C-DG
2156-FQP2N60C-OS
FQP2N60CFS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBC20PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
7738
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBC20PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
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