FQP2N90
Numéro de produit du fabricant:

FQP2N90

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQP2N90-DG

Description:

MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12840020
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SOUMETTRE

FQP2N90 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FQP2

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
FQP2N90FS
2156-FQP2N90-488
FQP2N90-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STP3NK90Z
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
361
NUMÉRO DE PIÈCE
STP3NK90Z-DG
PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
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