Numéro de produit du fabricant:
FQP8N80C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQP8N80C-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12851378
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SOUMETTRE
FQP8N80C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2050 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
178W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FQP8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FQP8N80C-DG
FQP8N80CFS
2156-FQP8N80C-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP08N80C3XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1997
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP08N80C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.00
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QUANTITÉ DISPONIBLE
988
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PRIX UNITAIRE
0.64
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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