FQPF9N25
Numéro de produit du fabricant:

FQPF9N25

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQPF9N25-DG

Description:

MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 250 V 6.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

12850349
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SOUMETTRE

FQPF9N25 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
420mOhm @ 3.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FQPF9

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RCX100N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
429
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX100N25-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
STF16NF25
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
886
NUMÉRO DE PIÈCE
STF16NF25-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
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