HUF75339P3
Numéro de produit du fabricant:

HUF75339P3

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HUF75339P3-DG

Description:

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

828 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12849290
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SOUMETTRE

HUF75339P3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
HUF75339

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
2166-HUF75339P3-488

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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