HUF76429S3ST
Numéro de produit du fabricant:

HUF76429S3ST

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HUF76429S3ST-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 47A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

1520 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12837967
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

HUF76429S3ST Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1480 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
HUF76429

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
HUF76429S3STDKR
HUF76429S3STTR
HUF76429S3STCT
HUF76429S3ST-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FCP9N60N-F102

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F

onsemi

FQP3N60

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3

onsemi

FDBL9401-F085

MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

onsemi

FQD4N25TM

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK