KSD2012GTU
Numéro de produit du fabricant:

KSD2012GTU

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

KSD2012GTU-DG

Description:

TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

1075 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12853774
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SOUMETTRE

KSD2012GTU Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
150 @ 500mA, 5V
Puissance - Max
25 W
Fréquence - Transition
3MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Numéro de produit de base
KSD2012

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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