Numéro de produit du fabricant:
MPS6601G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MPS6601G-DG
Description:
TRANS NPN 25V 1A TO92
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1 A 100MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventaire:
12849361
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SOUMETTRE
MPS6601G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 500mA, 1V
Puissance - Max
625 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92 (TO-226)
Numéro de produit de base
MPS660
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
MPS6601GOS
2156-MPS6601G-ON
ONSONSMPS6601G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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