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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
NDF11N50ZH
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NDF11N50ZH-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Description détaillée:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220-2 Full Pack
Inventaire:
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12840623
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SOUMETTRE
NDF11N50ZH Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
520mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1645 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-2 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
NDF11
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
NDF11N50ZH-DG
Fiches techniques
NDF11N50ZH
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
NDF11N50ZHOS
NDF11N50ZH-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFIB7N50APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
813
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFIB7N50APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.31
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
0.82
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QUANTITÉ DISPONIBLE
719
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.30
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PRIX UNITAIRE
0.65
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373
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PRIX UNITAIRE
1.24
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