NSBA115TDP6T5G
Numéro de produit du fabricant:

NSBA115TDP6T5G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NSBA115TDP6T5G-DG

Description:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963

Inventaire:

12855621
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SOUMETTRE

NSBA115TDP6T5G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
100kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
408mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-963
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-963
Numéro de produit de base
NSBA115

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
8,000
Autres noms
2156-NSBA115TDP6T5G-OS
ONSONSNSBA115TDP6T5G

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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