NTB5605P
Numéro de produit du fabricant:

NTB5605P

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTB5605P-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

12921914
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SOUMETTRE

NTB5605P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1190 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
88W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTB56

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SPB18P06PGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2030
NUMÉRO DE PIÈCE
SPB18P06PGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7933
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ250P10TL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1434
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ250P10TL-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
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