Numéro de produit du fabricant:
NTB5605P
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTB5605P-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12921914
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SOUMETTRE
NTB5605P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1190 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
88W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTB56
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPB18P06PGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2030
NUMÉRO DE PIÈCE
SPB18P06PGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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