Numéro de produit du fabricant:
NTD4809N-35G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD4809N-35G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventaire:
12856613
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SOUMETTRE
NTD4809N-35G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1456 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
NTD48
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
ONSONSNTD4809N-35G
2156-NTD4809N-35G-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD090N03LGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
94138
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD090N03LGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.23
TYPE DE SUBSTITUT
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