Numéro de produit du fabricant:
NTHL099N60S5
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTHL099N60S5-DG
Description:
NTHL099N60S5
Description détaillée:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 184W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
302 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12966313
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
6aOm
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTHL099N60S5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® V
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2500 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
184W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTHL099N60S5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
