Numéro de produit du fabricant:
NTMFS6H858NT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS6H858NT1G-DG
Description:
TRENCH 8 80V NFET
Description détaillée:
N-Channel 80 V 8.4A (Ta), 29A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
12979226
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SOUMETTRE
NTMFS6H858NT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.4A (Ta), 29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20.7mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
510 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NTMFS6H858NT1GDKR
488-NTMFS6H858NT1GCT
488-NTMFS6H858NT1GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMJ70H1D3SK3-13
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
DMPH4011SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
NVTYS029N08HLTWG
T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
