Numéro de produit du fabricant:
NVF2955T1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVF2955T1G-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Description détaillée:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventaire:
3990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12847799
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NVF2955T1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
170mOhm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
492 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223 (TO-261)
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
NVF2955
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
NVF2955T1GOSDKR-DG
488-NVF2955T1GDKR
NVF2955T1GOSCT-DG
488-NVF2955T1GTR
NVF2955T1G-DG
NVF2955T1GOSTR-DG
NVF2955T1GOSCT
488-NVF2955T1GCT
NVF2955T1GOSTR
NVF2955T1GOSDKR
2156-NVF2955T1G-OS
ONSONSNVF2955T1G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
FQP33N10L
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
