Numéro de produit du fabricant:
QJD1210SA2
Product Overview
Fabricant:
Powerex Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
QJD1210SA2-DG
Description:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
Inventaire:
12840189
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SOUMETTRE
QJD1210SA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Powerex
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 34mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8200pF @ 10V
Puissance - Max
415W
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
Module
Numéro de produit de base
QJD1210
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
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