QJD1210SA2
Numéro de produit du fabricant:

QJD1210SA2

Product Overview

Fabricant:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

QJD1210SA2-DG

Description:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module

Inventaire:

12840189
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

QJD1210SA2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Powerex
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 34mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8200pF @ 10V
Puissance - Max
415W
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
Module
Numéro de produit de base
QJD1210

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
1

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

ECH8651R-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH

onsemi

FDC6320C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

NTLGD3502NT1G

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

onsemi

MCH6604-TL-E

MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH