Numéro de produit du fabricant:
HAT2279H-EL-E
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HAT2279H-EL-E-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 30A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount LFPAK
Inventaire:
12857843
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SOUMETTRE
HAT2279H-EL-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3520 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
HAT2279
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
HAT2279H-EL-E-DG
HAT2279H-EL-ECT
HAT2279H-EL-ETR
HAT2279H-EL-EDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN018-80YS,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
8017
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN018-80YS,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
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PRIX UNITAIRE
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