Numéro de produit du fabricant:
EMA11T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMA11T2R-DG
Description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventaire:
13522808
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SOUMETTRE
EMA11T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
150mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT5
Numéro de produit de base
EMA11
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2706JE(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2706JE(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2906,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
5268
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2906,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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