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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
EMY1T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMY1T2R-DG
Description:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventaire:
Demande de devis en ligne
13520711
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SOUMETTRE
EMY1T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 6V
Puissance - Max
150mW
Fréquence - Transition
180MHz, 140MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT5
Numéro de produit de base
EMY1T2
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
EMT5 Inner Structure
Documents de fiabilité
EMT5 BIP Reliability Test
Fiches techniques
EMY1T2R
EMT5 T2R Taping Spec
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
EMY1T2RCT
EMY1T2RTR
EMY1T2RDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
HN4B01JE(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3440
NUMÉRO DE PIÈCE
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
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