Numéro de produit du fabricant:
EMY1T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMY1T2R-DG
Description:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventaire:
13520711
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SOUMETTRE
EMY1T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 6V
Puissance - Max
150mW
Fréquence - Transition
180MHz, 140MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT5
Numéro de produit de base
EMY1T2
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
EMY1T2RCT
EMY1T2RTR
EMY1T2RDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
HN4B01JE(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3440
NUMÉRO DE PIÈCE
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
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