Numéro de produit du fabricant:
EMZ2T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMZ2T2R-DG
Description:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventaire:
13523910
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SOUMETTRE
EMZ2T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 6V
Puissance - Max
150mW
Fréquence - Transition
180MHz, 140MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT6
Numéro de produit de base
EMZ2T2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
EMZ2T2R-ND
EMZ2T2RCT
EMZ2T2RTR
EMZ2T2RDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
HN1B04FE-Y,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
5
NUMÉRO DE PIÈCE
HN1B04FE-Y,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
EMZ1T2R
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
15718
NUMÉRO DE PIÈCE
EMZ1T2R-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
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