R6004RND3TL1
Numéro de produit du fabricant:

R6004RND3TL1

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

R6004RND3TL1-DG

Description:

600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaire:

3060 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12995560
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SOUMETTRE

R6004RND3TL1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
1.73Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 450µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
230 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
R6004

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
846-R6004RND3TL1CT
846-R6004RND3TL1DKR
846-R6004RND3TL1TR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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