Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
DR Congo
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
DR Congo
Interrupteur:
Anglais
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
R6006JNJGTL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6006JNJGTL-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventaire:
1098 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527337
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
R6006JNJGTL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 800µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
410 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
86W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LPTS
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
R6006
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
R6006JNJGTL
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
R6006JNJGTLTR
R6006JNJGTLCT
R6006JNJGTLDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R6020JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
QS5U23TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
RZR025P01TL
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
RCD060N25TL
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3