Numéro de produit du fabricant:
R6010ANX
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6010ANX-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
13525243
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SOUMETTRE
R6010ANX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±30V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6010
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STF10NM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
553
NUMÉRO DE PIÈCE
STF10NM60N-DG
PRIX UNITAIRE
1.34
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