Numéro de produit du fabricant:
R6012JNJGTL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6012JNJGTL-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Description détaillée:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventaire:
1800 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526116
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SOUMETTRE
R6012JNJGTL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
390mOhm @ 6A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LPTS
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
R6012
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
R6012JNJGTLDKR
R6012JNJGTLCT
R6012JNJGTLTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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