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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
R6025ANZC8
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6025ANZC8-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
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13526575
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SOUMETTRE
R6025ANZC8 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
150mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3250 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
R6025ANZC8
Informations supplémentaires
Forfait standard
360
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024KNZC17
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
300
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024KNZC17-DG
PRIX UNITAIRE
2.80
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024KNZ4C13
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
600
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024KNZ4C13-DG
PRIX UNITAIRE
3.23
TYPE DE SUBSTITUT
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