Numéro de produit du fabricant:
R6076MNZ1C9
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6076MNZ1C9-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 740W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
13524412
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SOUMETTRE
R6076MNZ1C9 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
55mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
740W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
R6076
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX80N60P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
3
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX80N60P3-DG
PRIX UNITAIRE
11.27
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